Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony
Rudolfová, Zdena ; Vávra,, Ivo (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá metodikou přípravy polovodičových vzorků pro pozorování dopova- ných struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomalými elektrony. V první části je podrobně zpracována teorie zobrazování povrchů pomocí elektronového svazku a rozdíly klasické rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a rastrovací elektronové mikroskopie pomalými elektrony (LVSEM). Je vysvětlen vznik kontrastu v SEM i LVSEM i teorie popisující vznik kontrastu různě dopovaných polovodičů. Druhá část obsahuje naměřená experimentální data. Jsou diskutovány výhody a nedostatky přípravy povrchu štípáním i fokusovaným iontovým svazkem (FIB), který byl shledán jako nejlepší způsob přípravy povrchu pro analýzu přesně určeného místa na vzorku. Nutné je použití co nejnižšího urychlovacího napětí závěrečného leštění FIB, ideálně 1 kV.
Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony
Mikmeková, Šárka ; Müllerová, Ilona (oponent) ; Pavloušková, Zina (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem mechanismu kontrastu injektovaného náboje v dopovaném polovodiči pomocí ultravysokovakuového nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Cílem této práce bylo vysvětlit mechanismus kontrastu injektovaného náboje, jeho schopnost mapovat plošnou hustotu dopantu a identifikovat faktory, které ho ovlivňují.
Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony
Rudolfová, Zdena ; Vávra,, Ivo (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá metodikou přípravy polovodičových vzorků pro pozorování dopova- ných struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomalými elektrony. V první části je podrobně zpracována teorie zobrazování povrchů pomocí elektronového svazku a rozdíly klasické rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a rastrovací elektronové mikroskopie pomalými elektrony (LVSEM). Je vysvětlen vznik kontrastu v SEM i LVSEM i teorie popisující vznik kontrastu různě dopovaných polovodičů. Druhá část obsahuje naměřená experimentální data. Jsou diskutovány výhody a nedostatky přípravy povrchu štípáním i fokusovaným iontovým svazkem (FIB), který byl shledán jako nejlepší způsob přípravy povrchu pro analýzu přesně určeného místa na vzorku. Nutné je použití co nejnižšího urychlovacího napětí závěrečného leštění FIB, ideálně 1 kV.
Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony
Mikmeková, Šárka ; Müllerová, Ilona (oponent) ; Pavloušková, Zina (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem mechanismu kontrastu injektovaného náboje v dopovaném polovodiči pomocí ultravysokovakuového nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Cílem této práce bylo vysvětlit mechanismus kontrastu injektovaného náboje, jeho schopnost mapovat plošnou hustotu dopantu a identifikovat faktory, které ho ovlivňují.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.